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续流二极管都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时，会把原件如三...
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只有在电路中使用晶体谐振器，才需要考虑负载电容问题。在选择时需要依据以下三个基本原则：(1)：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
(2)...
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新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、...
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型号材料最高电压最大电流最大功率频率沟道电阻
MAT02FH
2 x SI-NPN
40 V
20 mA
0,5 W
450 MHz
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MPSA06
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在VMOS管所有的工作方式中，共源极组态的驱动最简单。因为VMOS管是电压控制器件，输入阻抗极高，可以由多重逻辑电路直接驱动。
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从BMOS管的等效电路（图1-19）可以看出，VMOS管的输入端是电容性的，其动态输入阻抗与静态输入阻抗有很大的差别，直流输入阻抗极高，但交...
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VMOS管的技术指示，通常用极限参数、静态参数和动态参数来表示。
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VMOS管是多数载流子器件，其结构及工作原理均不同与双极晶体管（即普通晶体管）。双极晶体管本质上是电流控制器件，面VMOS管是...
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根据结构的不同，VMOS管分为两大类:VVMOS管，即垂直导电V形槽MOS管；VDMOS管，即垂直导电双扩散MOS管。
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