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本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。可以说， ...
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露水非海 | 发表时间 2016-05-06
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介绍的是一款高速FET输入、增益为5的仪表放大器，具有35 MHz宽带宽和10 MHz时55 dB的 ...
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hcay | 发表时间 2015-01-19
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我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种 ...
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长长11 | 发表时间 2020-03-05
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由于双极型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一个，所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-06-14
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来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层 ...
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lotuse | 发表时间 2016-10-21
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本系统采用ATmega8单片机为核心控制器，通过PWM波来控制H桥中MOSFET器件的导通和关断，把 ...
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hcay | 发表时间 2015-02-03
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氮化镓 （GaN） 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET，因为在同等导通电阻的情况下，氮化镓 （Ga ...
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晓晓nn | 发表时间 2016-05-11
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本文将针对IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术进行大致的介绍，帮助大家理解。 ...
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娇 | 发表时间 2016-03-26
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晓晓nn | 发表时间 2021-05-24
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几种MOSFET驱动电路介绍及分析：不隔离的互补驱动电路与隔离的驱动电路详解。 ...
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期待 | 发表时间 2014-12-29
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在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率 ...
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期待 | 发表时间 2015-04-28
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随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-05-06
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与传统的功率MOSFET相比，宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN?FET ...
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AJ代发 | 发表时间 2016-04-13
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晓晓nn | 发表时间 2020-01-17
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在本文中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关 ...
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文章详细介绍了基于TRUEC2技术非隔离BUCK拓扑，来实现18W极高精度日光灯LED恒流控制。试验 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-11-25
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MOSFET或IGBT保护方法有很多，有专门带保护的驱动电路，也有用康铜丝做电流采样的保护电路。专门 ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-08-22
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电流取样比较器和大电流图腾柱式输出，是驱动功率MOSFET的理想器件。 其它的保护特性包括输入和参考 ...
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长长11 | 发表时间 2020-03-26
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为了达到每秒开关数百次或甚至数千次，以开关稳压器为基础的LED驱动器，须经过特别的设计考虑。 ...
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封装的创新非常重要，尤其是在设计适用于支持更大电流的新一代便携式设计所需的超薄的MOSFET时更显得 ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-11-06
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